因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。
检测项目
残余应力分布、热膨胀系数、双折射效应、晶格畸变量、表面粗糙度应力、薄膜附着应力、切割诱导应力、退火后残余应力、化学机械抛光应力、离子注入损伤应力、外延生长匹配应力、焊接热失配应力、封装热循环应力、微区纳米压痕硬度、弯曲刚度系数、弹性模量各向异性、界面剪切应力、氧化层压缩应力、金属互连层拉伸应力、TSV通孔结构应力、三维堆叠热应力、光刻胶收缩应力、低温键合界面应力、原子层沉积内应力、纳米线阵列弯曲度、微机电系统动态应力、异质集成界面应变率、量子阱结构压电效应、氮化镓外延层临界厚度应力
检测范围
4英寸硅晶圆（单抛/双抛）、6英寸砷化镓晶圆（半绝缘/导电）、8英寸SOI晶圆（BOX层厚度20-200nm）、12英寸单晶硅抛光片（<100>/<111>取向）、蓝宝石衬底LED外延片（图形化/非图形化）、碳化硅功率器件外延片（4H-SiC/N型掺杂）、氮化镓射频器件外延片（HEMT结构）、锗硅异质结双极晶体管晶圆（SiGeHBT）、三维封装中介层（TSV密度5k-50k/mm）、MEMS加速度计结构层（厚度50-200μm）、CMOS图像传感器芯片（BSI结构）、DRAM存储单元阵列（20nm以下制程）、3DNAND闪存堆叠结构（64-128层）、扇出型封装重构晶圆（RDL线宽2-5μm）、微流控生物芯片玻璃基板（深反应离子刻蚀）、柔性OLED显示基板（PI厚度10-50μm）、量子点激光器外延片（InP基）、相变存储器硫系化合物薄膜（GST合金）、磁阻随机存储器MTJ堆叠层（CoFeB/MgO）、阻变存储器金属氧化物薄膜（HfO₂/TiO₂）
检测方法
1.拉曼光谱法：通过频移量反演晶体内部应变状态，适用于亚微米级空间分辨率测量2.X射线衍射法：利用布拉格角偏移计算晶格常数变化量，可区分弹性/塑性应变分量3.激光干涉法：测量表面形变位移场重建全场应变分布，精度达纳米级4.纳米压痕法：结合Oliver-Pharr模型计算局部弹性恢复与塑性变形特征5.曲率半径法：基于Stoney公式通过基片曲率推算薄膜平均应力值6.光弹性法：利用双折射效应可视化透明介质内部主应力方向7.电子背散射衍射：通过菊池带偏移分析晶体取向变化与局部应变8.同步辐射白光拓扑术：实现微米级分辨的三维残余应力场重构9.原子力显微镜扭摆模式：测量纳米尺度表面粘附力与接触力学响应10.数字图像相关法：追踪表面散斑位移计算全场应变张量
检测标准
ASTMF1390-2021半导体晶片残余应力的测试方法SEMIMF1530-0709硅片弯曲度的激光干涉测量规程ISO14707:2015表面化学分析-辉光放电光谱法测定薄膜厚度及成分JESD22-B113A电子器件机械冲击试验中应变测量方法GB/T32281-2015半导体材料力学性能纳米压痕测试方法IEC60749-39:2021半导体器件机械和气候试验方法-芯片剪切强度DINEN623-3:2001先进技术陶瓷体材性能试验-弯曲强度测定BSPDCLC/TR62258-6:2007半导体芯片产品数据交换-机械特性参数ASMEB46.1-2019表面纹理测量与分析规范MIL-STD-883KMETHOD2036微电子器件密封性试验中的应变监测
检测仪器
1.X射线衍射仪：配备微区准直器（50μm光斑）和高精度测角仪（0.0001分辨率），用于晶体结构应变分析2.激光扫描共焦显微镜：集成白光干涉模块，实现三维形貌与局部曲率同步测量3.纳米压痕测试系统：最大载荷500mN，位移分辨率0.01nm，配备高温模块（最高600℃）4.数字全息干涉仪：双波长激光源（532nm/633nm），可测变形量程达100μm级5.同步辐射光束线站：高能X射线束（10-100keV）配合二维探测器进行三维应变成像6.红外偏振光弹系统：工作波长1.3-1.5μm，适用于半导体材料内部缺陷可视化7.原子力显微镜：接触/轻敲/扭摆多模式切换，力分辨率达pN级8.飞秒激光泵浦探测系统：时间分辨率100fs，用于超快动态应变过程研究9.MEMS专用力学测试台：集成热循环模块（-55~300℃）与高频振动激励器10.微区拉曼光谱仪：空间分辨率300nm，配备532nm/785nm双激光源
检测流程
1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)
2、确认检测用途及项目要求
3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)
4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)
5、收到样品，安排费用后进行样品检测
6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误
7、确认完毕后出具报告正式件
8、寄送报告原件
