输入电容(Cies):测量栅极-发射极电容与栅极-集电极米勒电容的并联值,反映栅极驱动所需的电荷总量。
输出电容(Coes):测量集电极-发射极间电容,直接影响开关过程中的电压变化率与关断损耗。
反向传输电容(Cres):即米勒电容(Cgc),是引起米勒平台效应的关键参数,对开关速度与损耗有决定性影响。
栅极电荷(Qg):在特定电压下对栅极电容充电所需的总电荷量,是计算栅极驱动功耗的核心参数。
开通能量损耗(Eon):测量IGBT从关断状态到完全开通过程中所消耗的能量。
关断能量损耗(Eoff):测量IGBT从开通状态到完全关断过程中所消耗的能量。
反向恢复能量损耗(Err):测量续流二极管在IGBT开通时反向恢复过程产生的能量损耗。
总开关能量损耗(Esw):单次开关周期内开通、关断及二极管恢复损耗的总和。
开关时间参数:包括开通延迟时间、上升时间、关断延迟时间、下降时间等,与电容充放电直接相关。
热阻与结温监测:评估由开关损耗产生的热量及其导致的芯片温度上升,关联长期可靠性。
离散IGBT单管:涵盖不同电压等级(600V-6500V)、电流等级的TO系列封装单管的全参数测试。
IGBT模块:针对多芯片并联的工业级功率模块,包括半桥、全桥及其他拓扑结构的模块。
集成式功率模块(IPM):对内置驱动与保护电路的智能功率模块进行系统级开关损耗评估。
不同硅基技术器件:覆盖场截止型(FS)、沟槽栅型(Trench)等不同技术平台的IGBT。
宽禁带器件对比:将Si IGBT与SiC MOSFET等宽禁带器件的电容特性与开关损耗进行对比分析。
不同工作电压点:在额定电压范围内的多个直流母线电压下进行测试,分析损耗与电压的关系。
不同负载电流点:在额定电流范围内的多个负载电流条件下进行测试,分析损耗与电流的关系。
不同栅极电阻与驱动电压:评估外部驱动条件变化对电容充放电速度及开关损耗的影响。
不同结温条件:在室温至最高结温范围内测试,分析温度对电容参数和开关特性的影响。
应用电路板寄生参数:评估包含PCB走线杂散电感、电容在内的实际应用电路对开关行为的影响。
双脉冲测试法:最经典的方法,通过施加两个脉冲使器件在特定电流下开关,利用示波器测量波形计算损耗。
电容-电压扫描法:使用LCR表或专用半导体参数分析仪,在不同偏置电压下扫描测量Cies、Coes、Cres。
<强>栅极电荷测试法强>:通过恒流源对栅极充电,监测栅极电压随时间的变化曲线,从而得到Qg-Vge特性。
<强>示波器电能积分法强>:通过高精度示波器同时采集开关瞬态的电压与电流波形,并进行点乘积分得到能量损耗。
<强>热成像分析法强>:利用红外热像仪非接触式测量开关过程中芯片表面的瞬时温升,间接评估损耗分布。
<强>校准的源测量单元法强>:使用高精度SMU仪器进行高精度的静态及准静态电容参数测量。
<强>动态参数测试仪法强>:采用专用的功率器件动态测试系统,自动化完成双脉冲测试及参数提取。
<强>仿真模型验证法强>:将实测的电容数据导入PSPICE或Saber等仿真软件,构建模型并与实测开关波形对比验证。
<强>频谱分析法强>:通过分析开关波形的高频谐波成分,间接评估开关过程的剧烈程度及相关损耗。
<强>回路电感评估法强>:通过测量或仿真确定主功率回路寄生电感,用于修正开关损耗测试结果中的附加项。
<强>高带宽数字示波器强>:要求带宽≥500MHz,用于准确捕获纳秒级的快速电压、电流变化边缘。
<强>高压差分探头强>:用于安全、准确地测量集电极-发射极间的高压悬浮开关波形。
<强>高带宽电流探头/罗氏线圈强>:用于测量快速变化的集电极电流,要求带宽高且插入电感小。
<强>可编程直流电源强>:提供稳定的直流母线电压,并具备快速充放电能力以支持双脉冲测试。
<强>门极驱动板强>:提供可调驱动电压、栅极电阻及隔离驱动的定制化驱动电路。
<强>动态参数测试系统强>:如Keysight PD1500A等专用设备,集成高压源、电流源及测量单元,自动化测试。
<强>半导体参数分析仪强>:如Keysight B1505A,用于高精度C-V特性曲线扫描和栅极电荷测试。
<强>LCR表/阻抗分析仪强>:用于在特定频率和偏压下测量器件的寄生电容参数。
<强>热电偶/光纤温度传感器强>:用于在测试过程中实时监测IGBT芯片的结温或壳温。
<强>低感叠层母排与测试夹具强>:为被测器件提供低寄生电感、低噪声的测试环境,确保结果准确性。
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