谐振频率:测量晶体谐振器在特定模式下产生谐振时的中心频率,是决定其时间基准精度的核心参数。
串联谐振电阻:测量晶体在串联谐振点处的等效电阻,反映其能量损耗和振荡启动的难易程度。
品质因数(Q值):评估晶体谐振器频率选择性和能量存储效率的关键指标,定义为谐振时存储能量与每周期耗散能量之比。
静态电容:测量晶体谐振器两个电极之间以及电极与外壳之间存在的静态寄生电容。
动态电感:表征晶体谐振时机械振动系统等效电感的参数,与晶体的质量和弹性有关。
动态电容:表征晶体谐振时机械振动系统等效电容的参数,与晶体的弹性柔顺性有关。
负载谐振频率:测量晶体在指定负载电容条件下发生谐振时的频率,是实际振荡电路设计的重要依据。
频率温度特性:研究谐振频率随环境温度变化的规律,通常用频率-温度曲线或二次、三次多项式系数表示。
驱动电平依赖性:考察晶体谐振频率和等效电阻随激励功率(驱动电平)变化的情况,反映其非线性特性。
老化率:评估晶体谐振器频率随时间长期漂移的速率,通常以每日或每年的频率相对变化量表示。
基频晶体:检测工作在其基本振动模式下的晶体谐振器,频率范围通常在几十kHz到几十MHz。
泛音晶体:检测工作在其奇数次谐波(如3次、5次泛音)模式下的晶体,可获得更高的谐振频率。
音叉晶体:主要检测用于钟表、实时时钟模块的低频(32.768kHz)音叉型晶体谐振器。
AT切型晶体:检测最常用的、具有良好频率温度特性的AT切型石英晶体,广泛应用于各类振荡器。
SC切型晶体:检测具有双转折温度点、应力补偿特性的SC切型晶体,用于高稳定度恒温晶振。
表面贴装器件:检测小型化、表贴封装的晶体谐振器,需使用专用夹具进行高频性能测量。
插件封装晶体:检测如HC-49/S、HC-49/U等传统插件式封装的晶体谐振器。
温补晶振预选晶体:检测专门用于温度补偿晶振的晶体,对其频率温度特性有更严格的要求。
恒温晶振预选晶体:检测用于高精度恒温晶振的晶体,要求极低的相位噪声和老化率。
压控晶振用晶体:检测用于压控晶体振荡器的晶体,需评估其频率可调范围及线性度。
π网络零相位法:通过调节π型网络使被测晶体两端电压与电流同相,从而精确测定串联谐振频率和电阻。
阻抗分析仪法:使用阻抗分析仪直接测量晶体阻抗随频率变化的曲线,可一次性获取多项参数。
网络分析仪传输法:将晶体置于传输线中,通过测量其插入损耗的谷值点来确定串联谐振频率和Q值。
反射系数测量法:利用网络分析仪测量晶体的反射系数,通过史密斯圆图分析其阻抗特性。
激励电平扫描法:固定测试频率,逐步改变施加在晶体上的激励功率,测量其谐振电阻的变化。
温度循环测试法:将晶体置于温箱中,在规定的温度范围内以一定速率循环,连续记录其频率变化。
负载电容拉偏法:通过改变外接负载电容的值,测量负载谐振频率的变化,以验证其负载电容灵敏度。
长期老化监测法:将晶体置于恒温条件下,使用高精度频率计长时间连续监测其频率输出,计算老化率。
相位噪声测量法:使用相位噪声分析仪测量由晶体构成的振荡器的近载波噪声,间接评估晶体Q值等特性。
等效电路参数提取法:通过测量阻抗曲线,利用曲线拟合或计算公式从实测数据中提取动态电感、动态电容等等效参数。
网络分析仪:用于精确测量晶体阻抗、相位、S参数随频率变化的特性,是核心测试设备。
阻抗分析仪:专门用于测量元件阻抗特性的仪器,可直接显示R、L、C、Q值,操作便捷。
高频频率计/计数器:配备高稳定时基,用于精确测量晶体的输出频率及其短期稳定度。
π网络测试夹具:基于π型网络的专用测试夹具,与信号源和相位检测仪配合实现零相位法测量。
精密恒温箱:提供稳定且可编程控制的温度环境,用于测试晶体的频率温度特性。
驱动电平可调信号源:输出幅度(功率)精确可调的高频信号源,用于测试驱动电平依赖性。
标准负载电容盒:提供一系列高精度、低损耗的标准电容值,用于负载谐振频率测试。
相位噪声测试系统:由低噪声信号源、相位检测器和频谱分析仪等组成,用于评估晶体的相位噪声性能。
高精度数字万用表:用于监测测试电路中的直流偏置电压、电流以及进行辅助测量。
专用晶体测试插座/夹具:针对不同封装形式的晶体设计的测试适配器,确保可靠连接并减少寄生参数影响。
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8、寄送报告原件
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