多晶硅质量全解析结果检测

因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。

检测项目

纯度分析、总金属杂质含量、碳含量、氧含量、氮含量、氯含量、硼浓度、磷浓度、施主杂质总量、受主杂质总量、电阻率、少子寿命、位错密度、晶粒尺寸、晶体取向偏差率、表面金属污染度、体缺陷密度、表面粗糙度、密度测定、热膨胀系数、显微硬度、抗弯强度、颗粒度分布、总有机碳残留量、氢含量测定、紫外荧光强度、红外吸收光谱特征峰强度、X射线衍射半峰宽值、光致发光谱特征峰位移量、二次离子质谱深度分布曲线

检测范围

直拉法单晶硅锭、区熔法多晶硅棒、流化床法颗粒硅料、冶金法提纯硅块、西门子法棒状多晶硅片状多晶硅块体材料太阳能级多晶硅锭电子级多晶硅颗粒半导体用高纯硅靶材回收硅料再生料铸锭炉余料切割废料酸洗后硅粉CVD沉积层外延片抛光片退火样掺杂样氧化样氮化样离子注入样扩散层样蚀刻后表面钝化膜样封装前基片组件级层压件

检测方法

1.辉光放电质谱法（GD-MS）：通过低温等离子体激发样品原子电离，实现ppb级痕量元素定量2.傅里叶变换红外光谱（FTIR）：利用分子振动能级跃迁特征测定间隙氧/替位碳含量3.四探针电阻率测试：基于范德堡法原理测量材料体电阻特性4.微波光电导衰减（μ-PCD）：通过激光注入载流子测定少子寿命5.X射线衍射（XRD）：采用θ-2θ扫描模式分析晶体结构完整性6.电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）：溶液雾化电离技术测定金属杂质总量7.二次离子质谱（SIMS）：离子束溅射实现元素三维分布分析8.扫描电子显微镜（SEM-EDS）：结合能谱进行表面形貌与成分联测9.低温霍尔效应测试：液氦环境下测定载流子浓度与迁移率10.光致发光谱（PL）：通过缺陷态发光特征识别晶体缺陷类型

检测标准

GB/T24582-2021多晶硅表面金属杂质含量的测定酸浸取-电感耦合等离子体质谱法GB/T37049-2018电子级多晶硅中基体金属杂质含量的测定辉光放电质谱法SEMIPV17-0612太阳能级多晶硅材料规范ASTMF1724-09(2020)用低温傅里叶变换红外光谱法测量硅中间隙原子氧含量的标准试验方法IEC60749-27:2019半导体器件-机械和气候试验方法-第27部分：腐蚀性气体测试JISH0605:2021硅单晶中杂质浓度的红外吸收光谱测定方法ISO14707:2021表面化学分析-辉光放电发射光谱法通则GB/T35306-2023多晶硅晶体缺陷密度的测定X射线衍射法SEMIMF1726-1109用微波光电导衰减法测量硅片少数载流子寿命的测试方法DINEN60749-4:2017半导体器件-机械和气候试验方法-第4部分：强加速稳态湿热试验

检测仪器

1.高分辨率辉光放电质谱仪：配备射频源与双聚焦分析器，实现0.01ppb检出限2.深紫外显微分光光度计：采用193nm激发光源进行纳米级表面污染分析3.低温强磁场霍尔测试系统：集成15T超导磁体与液氦恒温器4.全自动四探针测试台：配置高温探针卡座支持RT-300℃范围测量5.三维原子探针层析仪（APT）：实现原子级空间分辨率成分分析6.飞秒激光时域反射系统：用于微秒级载流子动力学过程监测7.X射线形貌分析仪：采用双晶单色器获得高衬度缺陷图像8.同步辐射X射线荧光光谱仪：实现ppm级轻元素定量分析9.超导量子干涉磁强计（SQUID）：测量材料磁学性质与缺陷关联性10.俄歇电子能谱仪（AES）：纳米级表面成分深度剖析专用设备

检测流程

1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)

2、确认检测用途及项目要求

3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)

4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)

5、收到样品，安排费用后进行样品检测

6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误

7、确认完毕后出具报告正式件

8、寄送报告原件