热氧化层厚度:测量通过高温氧化工艺在硅衬底上生长的二氧化硅层的厚度,是MOS器件栅氧质量控制的核心。
化学气相沉积层厚度:检测通过CVD工艺沉积的多种薄膜厚度,如氮化硅、多晶硅、二氧化硅等,用于层间介质和钝化层。
物理气相沉积层厚度:测量通过PVD工艺(如溅射)形成的金属薄膜厚度,如铝、铜、钛、氮化钛等,用于互连线与阻挡层。
外延层厚度:精确测定在单晶衬底上生长出的同质或异质单晶外延层的厚度,对功率器件和先进逻辑器件至关重要。
离子注入后退火层厚度:评估离子注入后经过退火工艺形成的掺杂扩散层或再结晶层的厚度变化。
旋涂玻璃厚度:测量作为平坦化介质的旋涂式二氧化硅薄膜的厚度,确保后续光刻工艺的聚焦深度。
抗反射涂层厚度:检测涂覆在光刻胶下方或上方的抗反射涂层的厚度,以优化光刻成像对比度。
多晶硅栅极厚度:精确控制作为MOSFET栅电极的多晶硅层的厚度,直接影响器件阈值电压和驱动电流。
浅沟槽隔离填充层厚度:测量填充在浅沟槽隔离结构中的介质层厚度,确保良好的电隔离与平坦化效果。
金属硅化物层厚度:检测在源/漏及栅极上形成的硅化钴、硅化镍等层的厚度,以降低接触电阻。
研发阶段工艺调试:在新工艺或新材料开发初期,快速、非破坏性地获取扩散层厚度数据,用于优化工艺配方。
大批量生产在线监控:在生产线关键制程节点对每批或每片晶圆进行抽样或全检,实现实时工艺控制。
跨片均匀性分析:测量单晶圆上不同位置点的厚度,评估薄膜沉积或生长工艺在晶圆面内的均匀性。
片间均匀性分析:对比同一批次中不同晶圆之间特定薄膜的厚度,监控工艺的批次稳定性。
批间重复性监控:长期跟踪不同生产批次之间同一薄膜厚度的变化趋势,评估工艺设备的长期稳定性。
设备腔体性能匹配:对比同一工艺在不同设备腔体中生产的薄膜厚度,确保多台设备间的工艺一致性。
工艺故障诊断:当电性测试或良率出现异常时,通过厚度检测快速定位是否为薄膜工艺偏差所致。
来料晶圆验证:对供应商提供的带有外延层或埋氧层的衬底晶圆进行厚度确认,保证起始材料符合规格。
三维结构薄膜测量:针对FinFET、GAA等先进三维器件结构中的薄膜,测量其侧壁或复杂形貌上的厚度。
超薄薄膜检测:应对先进制程中日益减薄的栅氧层、功函数层等,进行亚纳米级精度的厚度测量。
光谱椭偏法:通过分析偏振光在薄膜表面反射后偏振状态的变化,反演出薄膜厚度与光学常数,精度极高。
反射光谱法:测量白光在薄膜表面反射的光谱,通过分析干涉条纹的周期与强度来计算膜厚,速度快。
X射线反射法:利用X射线在薄膜界面发生干涉的原理,可精确测量超薄薄膜、多层膜及界面粗糙度。
X射线荧光法:通过测量薄膜材料受激发射的特征X射线强度来推算厚度,特别适用于金属及化合物薄膜。
四探针电阻法:通过测量扩散层或导电薄膜的方块电阻,结合已知的电阻率来推算平均厚度。
电容-电压法:主要用于测量MOS结构中的绝缘层厚度,通过高频C-V特性曲线提取等效氧化层厚度。
台阶仪接触式测量:通过探针划过薄膜与衬底形成的台阶,直接机械式测量高度差,为破坏性测量。
扫描电子显微镜截面法:制备晶圆截面样品,通过SEM直接成像观测各层薄膜的物理厚度,是破坏性基准方法。
透射电子显微镜法:提供原子级分辨率的截面图像,可精确测量极薄层和界面厚度,用于研发和标定。
原子力显微镜法:通过探针扫描表面形貌,可测量局部微小区域的台阶高度,兼具三维形貌分析能力。
全自动光谱椭偏仪:集成自动晶圆传送、对准和测量模块,用于高精度、多参数(n, k, d)的在线或离线检测。
多通道膜厚测量系统:采用反射光谱原理,配备多点同时测量探头,专为快速面内均匀性 mapping 设计。
X射线反射测量系统:用于研发和高端生产监控,提供亚埃级精度的超薄薄膜、密度及界面分析能力。
X射线荧光膜厚仪:特别适用于金属互连工艺线,可快速无损测量铜、钴、钌等金属及阻挡层厚度。
四探针测试仪:设备简单、操作快捷,广泛用于扩散层、多晶硅层和外延层的方块电阻与平均厚度监控。
高分辨率扫描电子显微镜:作为破坏性检测和故障分析的黄金标准,用于精确测量截面物理厚度和结构分析。
透射电子显微镜:最高精度的厚度分析设备,常用于前沿工艺研发、材料表征及为其他非破坏性方法提供标定。
原子力显微镜:用于局部区域的三维形貌和台阶高度测量,尤其在研发和小尺寸图案化区域检测中应用。
在线集成测量单元:将膜厚测量模块集成在沉积或刻蚀设备内部,实现真正意义上的实时、原位工艺控制。
缺陷复查与分类系统:部分高端系统集成了光学显微镜和膜厚测量功能,可在定位缺陷的同时分析局部膜厚异常。
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