晶体结构鉴定:通过精确测定衍射峰的位置,确定晶体的晶格常数、晶系和空间群等基本结构参数。
外延层晶格失配度:测量外延层与衬底衍射峰的角位移,定量计算二者之间的晶格常数差异及失配应变。
外延层厚度:利用衍射曲线中厚度干涉条纹(卫星峰)的周期,精确计算外延薄膜的厚度。
晶体取向与偏角:精确测定晶面的实际取向与理论取向之间的偏差,即晶片的切割偏角或外延生长取向。
镶嵌结构分析:通过测量衍射峰的半高宽,评估晶体内部的镶嵌块尺寸、分布和晶界取向差。
缺陷密度评估:间接评估由位错、层错等缺陷引起的晶格畸变程度,与衍射峰的展宽直接相关。
应变与应力分析:区分并测量晶体中存在的均匀应变(峰位移动)和非均匀应变(峰形展宽)。
界面粗糙度与扩散:分析衍射曲线中干涉条纹的衰减情况,评估异质结界面的陡峭度和互扩散程度。
超晶格周期结构表征:对人工超晶格材料,测量其主衍射峰两侧的卫星峰,确定超晶格周期和界面质量。
晶体弯曲与翘曲:通过扫描样品不同位置衍射峰的变化,评估晶片整体的弯曲半径或局部翘曲。
半导体单晶材料:如硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓(GaAs)、碳化硅(SiC)等体单晶的结晶质量评估。
半导体外延薄膜:包括硅基外延层、III-V族(如GaN、InP)和II-VI族化合物半导体外延结构。
异质结与量子阱结构:用于分析由不同材料组成的多层异质结界面质量及量子阱的尺寸和应变状态。
人工超晶格与量子点:表征周期性交替生长的超薄层超晶格结构以及自组装量子点阵列的尺寸和有序度。
氧化物薄膜与多层膜:如铁电薄膜(PZT)、高温超导薄膜(YBCO)及各种氧化物功能薄膜的结晶性分析。
金属薄膜与多层膜:评估在单晶衬底上外延生长的金属薄膜的晶体质量和应力状态。
光电子与微电子器件材料:直接应用于LED、激光器、HEMT、HBT等器件核心外延材料结构的非破坏性检测。
弛豫模板与虚拟衬底:如通过组分渐变层弛豫的SiGe虚拟衬底,测量其最终晶格常数和缺陷密度。
离子注入与退火材料:评估离子注入后晶格损伤程度以及经过退火工艺后的晶格恢复和再结晶情况。
新型低维与拓扑材料:适用于拓扑绝缘体、二维材料(如石墨烯、氮化硼)及其异质结构的层间耦合与应变分析。
高分辨摇摆曲线法:最常用的方法,在固定波长下扫描样品角度,获得衍射强度分布曲线,直接反映晶体质量。
倒易空间映射:在倒易空间的两个维度上进行扫描,能清晰区分晶格应变与镶嵌结构对衍射展宽的贡献。
双晶衍射法:使用一个近乎完美的参考晶体与样品晶体组成衍射系统,获得极高的角分辨率。
三轴衍射法:在单色器后和探测器前分别加入分析晶体,进一步降低仪器宽化效应,分辨率最高。
掠入射X射线衍射:以极小的入射角照射样品,增强表面或近表面薄膜的信号,适用于超薄层分析。
X射线反射法:在极小角度区域测量X射线的镜面反射率曲线,用于分析薄膜厚度、密度和界面粗糙度。
同步辐射HRXRD:利用同步辐射光源的高亮度、高准直性和连续可调波长,实现超快、超高分辨的测量。
截面衍射技术:将样品沿特定方向切割并抛光截面,直接测量外延层沿生长方向的应变和成分分布。
变温高分辨衍射:在高温或低温环境下进行HRXRD测量,研究材料相变、热膨胀系数及热稳定性。
微区X射线衍射:利用毛细管聚焦或反射镜将X射线束斑缩小至微米量级,实现样品微区结构的定点分析。
高分辨X射线衍射仪:核心设备,通常配备多晶单色器、多轴测角仪和高精度探测器,专为高角分辨率设计。
多晶单色器:通常采用Ge(220)或Ge(400)等晶面,用于从X射线管发射谱中选出单色的Kα1辐射。
高精度四圆或六圆测角仪:提供样品和探测器在多个自由度上的精确独立旋转,实现复杂空间扫描。
X射线反射计附件:集成于衍射仪上,用于进行小角区域的X射线反射率测量,分析薄膜界面。
高灵敏度探测器:如闪烁计数器、硅漂移探测器或像素阵列探测器,用于精确记录衍射X射线光子强度。
平行光路系统:包括多层膜镜、毛细管准直器或狭缝系统,用于获得高度平行或聚焦的入射X射线束。
分析晶体:在三轴衍射配置中,置于探测器前,用于进一步过滤散射X射线,提高分辨率。
变温样品台:可实现从液氦温度到超过1500摄氏度范围的精确控温,用于原位研究温度对晶体结构的影响。
微区光束光学系统:如Montel多层膜镜或毛细管透镜,可将X射线束斑聚焦至10微米以下进行微区分析。
同步辐射光束线:提供超高亮度、高准直性、波长连续可调的X射线源,是进行前沿HRXRD研究的顶级平台。
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