总α放射性活度浓度:测量样品中所有α辐射核素的总活度浓度,评估其整体α放射性水平。
总β放射性活度浓度:测量样品中所有β辐射核素的总活度浓度,评估其整体β放射性水平。
铀-238比活度:定量分析铀-238及其衰变子体的放射性比活度,是天然放射性系列的重要指标。
钍-232比活度:定量分析钍-232及其衰变子体的放射性比活度,评估另一主要天然放射系的影响。
镭-226比活度:测定镭-226的活度,其作为铀系重要成员,直接影响氡气的析出。
钾-40比活度:测定天然放射性核素钾-40的比活度,常见于原料中的杂质。
铯-137比活度:检测人工放射性核素铯-137的污染情况,评估原料来源的洁净度。
钴-60比活度:检测人工放射性核素钴-60的污染情况,判断是否受到工业或医疗源污染。
表面污染水平:测量晶体表面α和β放射性污染物的活度,评估加工与存储环境的安全性。
氡析出率:测量晶体材料在单位时间内析出氡-222气体的能力,关乎密闭环境安全。
铌酸锂晶体:广泛应用于电光调制器、声表面波器件等,需严格控制其放射性本底。
铌酸钾晶体:用于非线性光学和电光器件,其原料纯度直接影响放射性水平。
铌酸锶钡晶体:一种重要的电光晶体,需对锶、钡原料中的放射性杂质进行筛查。
掺杂铌酸盐晶体:如掺镁铌酸锂、掺稀土离子铌酸盐等,掺杂过程可能引入放射性杂质。
晶体生长原料粉末:对碳酸铌、氧化物等初始原料进行检测,从源头控制放射性。
晶体加工废料:对切割、研磨产生的废屑进行检测,评估废料处理的环境风险。
晶体器件成品:对封装后的最终器件进行整体放射性评估,确保终端应用安全。
晶体生长环境介质:对坩埚、保温材料等可能接触晶体的材料进行沾染检测。
工艺辅料与试剂:对生长、加工过程中使用的酸、溶剂等进行放射性本底检测。
包装与存储材料:检测长期接触晶体的包装材料是否被污染或本身具有高放射性。
低本底α/β测量法:使用流气式正比计数器,在屏蔽环境中精确测量总α、总β活度。
高纯锗γ能谱分析法:利用HPGe探测器的高分辨率,无损、同时定量多种γ核素的比活度。
电感耦合等离子体质谱法:通过ICP-MS精确测定样品中铀、钍等放射性元素的含量,灵敏度极高。
液体闪烁计数法:特别适用于低能β核素(如氚)或需要化学分离后测量的α核素(如钋)。
径迹蚀刻法:通过固体核径迹探测器测量氡及其子体产生的α径迹,用于长期累积测量。
活性炭吸附-γ能谱法:用于测量氡析出率,活性炭吸附氡后通过γ能谱测量其子体铅-214和铋-214。
α表面污染仪直接测量法:使用便携式α表面污染仪对晶体表面进行快速扫描筛查。
放射化学分离-α能谱法:通过化学方法分离出特定核素(如钚、镭),再用α能谱仪进行精确测定。
热释光剂量计法:将TLD置于晶体附近进行长期累积剂量监测,评估环境辐射水平。
符合测量法:用于极低水平放射性测量,通过符合电路降低本底,提高信噪比。
低本底α/β测量仪:核心设备,具有铅、铜、塑料复合屏蔽室,用于总放射性筛查。
高纯锗γ能谱仪:核心精密设备,配备液氮冷却系统、多道分析器及低本底铅室。
电感耦合等离子体质谱仪:用于超痕量铀、钍、钾等元素分析的化学分析设备。
液体闪烁计数器:配备低本底样品瓶和符合测量功能的闪烁计数设备。
便携式α/β表面污染仪:用于现场快速检测晶体表面或工作台面的污染情况。
氡及氡子体测量仪:包括连续测氡仪、活性炭盒等,用于环境氡浓度与析出率测量。
低本底流气式正比计数器:作为独立单元,专门用于测量滤膜上的α、β放射性样品。
α能谱仪:通常采用金硅面垒型或离子注入型硅探测器,用于分辨不同的α核素。
热释光剂量计读出器:用于读取TLD在辐射场中累积的剂量信息。
超低本底屏蔽室:由老铅、电解铜、不锈钢等材料构成的多层被动屏蔽体,为测量提供极低本底环境。
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