表面功函数：测量电子从晶片内部逸出到真空所需的最小能量，是表面电势的核心表征参数。
表面电势差：检测晶片表面不同区域之间的电势差异，用于评估表面均匀性和缺陷分布。
表面能带弯曲：分析由于表面态或吸附引起的能带在近表面区域的弯曲程度。
费米能级位置：确定表面处费米能级相对于导带底或价带顶的精确位置。
表面态密度与分布：探测由晶格中断、缺陷或吸附物在禁带中引入的电子态。
表面光电压：测量光照条件下因光生载流子分离而产生的表面电势变化。
表面电荷密度：量化表面存在的净电荷数量，影响场效应器件的性能。
表面偶极层电势：评估由表面原子重构或吸附层形成的电偶极层对电势的贡献。
清洁表面与处理后表面电势对比：比较不同表面处理（如钝化、刻蚀、镀膜）前后的电势变化。
表面电势随环境的变化：监测在不同气体环境、温度或压力下表面电势的动态响应。
原生抛光晶片：对刚完成抛光、未经其他处理的InP晶圆进行基准电势检测。
外延生长前后晶片：对比外延生长（如InGaAs/InP）前后衬底的表面电势，评估外延影响。
离子注入区域：对经过离子注入掺杂的特定区域进行微区表面电势扫描，分析掺杂效果。
刻蚀与图形化区域：检测经过干法或湿法刻蚀形成的微纳结构表面的电势分布。
金属/介质膜沉积后表面：评估沉积了电极金属或钝化介质膜后的界面电势特性。
晶片边缘与中心区域：对比晶片中心和边缘的表面电势，监控工艺均匀性。
晶粒与晶界：在多晶或存在缺陷的InP材料上，分辨晶粒内部与晶界处的电势差异。
老化与可靠性测试样品：对经历高温、高湿或电应力老化测试后的样品进行电势分析。
异质结与量子阱结构：应用于复杂异质结材料的截面或表面，研究能带对齐情况。
器件有源区：在制成的光电或微波器件（如HEMT、激光器）的有源区进行原位电势检测。
开尔文探针力显微镜：利用原子力显微镜探针与样品间的接触电势差，实现纳米级分辨率的面扫描。
扫描开尔文探针：非接触式振动电容法，测量宏观或微米级区域的平均表面功函数。
紫外光电子能谱：通过测量光电子动能，直接获得功函数和能带结构信息，需真空环境。
扫描光电压显微镜：使用聚焦激光束扫描样品，通过检测局部光电压来映射表面电势和载流子扩散信息。
电化学开尔文探针：在电解液环境中测量半导体/电解液界面的平带电位和能带位置。
场效应表面光电导法：通过施加栅压改变表面势，结合光电导测量来推算表面电势参数。
二次电子发射光谱：在扫描电镜中，利用二次电子能量分布对表面电势进行成像。
表面光吸收谱：通过分析表面电场对光吸收系数的影响（如Franz-Keldysh效应）间接推导电场强度。
C-V特性分析：通过金属-绝缘体-半导体结构的电容-电压特性曲线提取表面势和界面态信息。
瞬态表面光电压谱：测量表面光电压随时间衰减的过程，用于分析表面复合动力学和陷阱态。
开尔文探针力显微镜系统：集成AFM和KPFM功能的精密系统，用于纳米级表面电势与形貌同步成像。
扫描开尔文探针仪：配备振动参比电极、锁相放大器和精密位移台的宏观/微观功函数测量仪。
紫外光电子能谱仪：包含紫外光源、电子能量分析器和超高真空系统的表面分析设备。
多功能扫描探针显微镜平台：可兼容多种电学测量模式（如KPFM, SSPM）的模块化SPM系统。
半导体参数分析仪：用于执行精确的C-V、I-V测量，配合探针台进行电学表征。
显微光致发光/光电压映射系统：集成显微镜、单色仪、锁相检测和扫描平台的发光与光电性能成像系统。
超高真空制备与测量互联系统：可在真空内完成样品清洗、薄膜沉积及多种原位表面分析的综合设备。
激光扫描共聚焦显微镜（光电模式）：配备光电探测模块，可用于微区表面光电压的快速成像。
原子力显微镜导电探针模块：镀有导电涂层（如Pt/Ir）的AFM探针，是进行KPFM测量的核心耗材。
环境控制探针台：提供温度控制、光照以及特定气体氛围的样品台，用于研究环境对表面电势的影响。
1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)
2、确认检测用途及项目要求
3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)
4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)
5、收到样品，安排费用后进行样品检测
6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误
7、确认完毕后出具报告正式件
8、寄送报告原件
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