常温阈值电压：在标准室温（如25°C）下测量器件的开启电压，作为性能基准。
高温阈值电压：在目标高温（如150°C、175°C、200°C）下测量，评估温度对开启特性的影响。
阈值电压温度系数：分析阈值电压随温度变化的速率和方向，是评估器件热稳定性的关键指标。
阈值电压漂移：在长时间高温偏置应力下，监测阈值电压的偏移量，评估器件的可靠性。
栅极泄漏电流：在测量阈值电压时同步监测栅极电流，评估栅氧质量及高温下的绝缘性能。
跨导峰值对应栅压：通过跨导曲线确定器件最大增益时的栅极电压，间接反映阈值特性。
亚阈值摆幅：测量器件从关断到开启的转换斜率，反映栅控能力，高温下会发生变化。
动态阈值电压：在高频开关工作条件下测试的有效阈值电压，更贴近实际应用场景。
不同漏极电压下的阈值电压：研究漏极偏置对阈值电压的调制效应（如DIBL效应）。
批次内与批次间阈值电压均匀性：统计多颗器件在不同温度下的阈值电压分布，评估工艺一致性。
SiC MOSFET：包括平面栅和沟槽栅结构，是高温阈值电压测试的主要对象。
SiC JFET：结型场效应晶体管，其阈值电压特性同样需要在高温柔下进行表征。
SiC BJT：双极型晶体管，虽无传统MOS栅，但其开启基极-发射极电压需在高温下测试。
SiC IGBT：绝缘栅双极型晶体管，关注其MOS栅部分的阈值电压高温特性。
SiC SBD/MPS二极管：虽无栅极，但其开启电压的温度特性测试也属于相关范畴。
SiC Cascode器件：由SiC JFET和Si MOSFET级联构成，需测试内部SiC JFET部分的高温阈值。
不同电压等级器件：涵盖从600V、1200V到1700V、3300V及以上等级的SiC功率器件。
不同封装形式器件：包括芯片级、TO封装、模块封装等，测试需考虑封装带来的热阻影响。
栅氧工艺样品：对用于工艺开发的栅氧晶圆片或测试结构进行高温阈值电压测试。
可靠性测试后样品：对经过HTGB（高温栅偏）、H3TRB等可靠性测试后的器件进行阈值电压复测。
恒定电流法：最常用方法，在漏源极间施加微小电流，扫描栅压至达到该电流时的电压即为Vth。
线性外推法：在转移特性曲线的线性区进行切线外推至电流为零的点，以此确定阈值电压。
跨导峰值法：通过寻找跨导曲线峰值所对应的栅极电压来定义阈值电压，适用于某些特定分析。
C-V特性法：通过高频C-V测试，从电容-电压曲线的特征点提取阈值电压信息。
脉冲式I-V测试法：使用短脉冲进行测试，避免器件在测量过程中因自热导致结温升高，获得等温曲线。
高温原位测试法：将器件置于可精确控温的高温环境（如热台、温箱）中，直接进行电学测量。
温度循环测试法：在设定的温度范围内进行循环，并在每个温度稳定点测量阈值电压。
静态偏置应力法：在高温下对栅极施加恒定偏压，定期中断并测量阈值电压漂移情况。
动态开关应力法：让器件在高温下进行连续开关操作，定期测量其阈值电压变化。
统计抽样测试法：对大批量器件进行抽样，在不同温度点测试，进行统计分析以评估整体质量。
半导体参数分析仪：如Keysight B1500A，是进行精密直流I-V、C-V测试的核心设备。
高温探针台：配备热卡盘或全环境温控腔体，可在芯片级实现-65°C至300°C以上的精确温度控制。
高低温试验箱：用于对已封装的器件进行整机或批量高温环境模拟与测试。
精密源测量单元：用于提供精确的电压/电流源并同步测量微小电流，是SMU的核心功能。
C-V分析仪：专门用于进行电容-电压特性测量，以分析界面态和提取电学参数。
脉冲发生器与测量单元：用于产生纳秒至微秒级的短脉冲信号，实现脉冲式I-V测试。
功率器件分析仪/曲线追踪仪：针对功率器件的专用测试仪，可进行大电流下的特性分析。
高精度温度控制器：与热台或温箱配套，确保测试温度点的精确与稳定。
防静电及屏蔽测试夹具：用于连接封装器件与测试仪器，需具备低噪声、高屏蔽和防静电能力。
数据采集与处理软件：控制仪器自动化测试流程，并完成数据记录、分析和报告生成。
1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)
2、确认检测用途及项目要求
3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)
4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)
5、收到样品，安排费用后进行样品检测
6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误
7、确认完毕后出具报告正式件
8、寄送报告原件
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