暗电流：指在无光照条件下，探测器在反向偏压下流过的电流，是衡量探测器噪声和探测率的关键参数。
动态阻抗：探测器在特定工作点（偏压）下的电流-电压曲线斜率倒数，反映器件的阻抗特性与结质量。
零偏动态阻抗：在零伏偏压下的动态阻抗值，是评估光伏型HgCdTe探测器性能的核心指标之一。
反向击穿电压：器件反向电流开始急剧增大（击穿）时所对应的电压值，关系到器件的工作稳定性与可靠性。
正向开启电压：器件从截止状态进入正向导通状态所需的电压阈值。
电流-电压特性曲线：完整测量器件在正反向偏压下的电流响应，是提取所有电学参数的基础。
串并联电阻：通过I-V曲线拟合分析，分离出器件的串联电阻和并联（分流）电阻，评估欧姆接触和晶格缺陷。
产生-复合电流：分析I-V曲线中由耗尽区内载流子产生与复合过程主导的电流分量。
扩散电流：分析I-V曲线中由中性区载流子扩散过程主导的电流分量，与材料少子寿命相关。
隧道电流：在高掺杂或强电场下，由带间或缺陷辅助隧道效应引起的电流，影响高温或低带隙器件性能。
单元探测器芯片：对单个像元HgCdTe光伏器件进行全面的电学特性测试与筛选。
小规模线列探测器：对线列阵列中的每一个像元进行独立的漏电流测试，评估均匀性。
焦平面阵列初筛：在倒装互连前，对碲镉汞材料芯片（mosaic）上的所有像元进行快速电学测试，剔除不合格像元。
不同工作温度：在液氮温度（77K）、室温或更高工作温度下测试，研究漏电流机制随温度的变化。
不同波段器件：覆盖短波、中波、长波及甚长波红外等不同截止波长的HgCdTe探测器。
不同器件结构：适用于平面结、台面结、n-on-p、p-on-n等多种工艺结构的HgCdTe光伏器件。
工艺监控片：对工艺陪片或监控片上的测试结构进行测量，用于反馈材料生长和芯片工艺质量。
可靠性评估：通过测试老化、温度循环等试验前后的漏电流变化，评估器件的长期稳定性。
材料筛选：在芯片工艺早期，通过测试简单结构初步判断HgCdTe外延材料的电学质量。
科研分析：用于研究新型器件结构、表面钝化效果、异质结特性等前沿课题中的漏电行为。
直流I-V测试法：最基础的方法，通过施加扫描直流电压并测量响应电流，获得完整的I-V特性曲线。
参数分析法：对测量的I-V曲线进行理论模型拟合，分离并量化不同机制的漏电流分量。
变温I-V测试法：在不同温度下进行I-V测试，通过分析电流随温度的变化关系，确定主导的漏电机制。
脉冲I-V测试法：使用短脉冲电压进行测试，减少因自热效应对测量结果（尤其是高偏压下）的影响。
低噪声测试法：采用屏蔽、低噪声线缆、低噪声电流前置放大器等手段，精确测量极低的暗电流（fA级）。
光致电流抑制法：在强背景光照下测试，使光电流远大于暗电流，用于辅助判断接触和串联电阻问题。
C-V联合测试法：同步测量电容-电压特性，结合I-V数据更精确地分析耗尽区宽度、载流子浓度等信息。
快速阵列扫描法：针对阵列器件，通过多路开关系统快速自动地切换测试通道，实现高效率普查。
噪声谱测量法：测量器件的低频噪声谱，其与漏电流的涨落相关，可作为补充诊断工具。
光束诱导电流法：使用聚焦激光束扫描器件表面，通过监测诱导电流的变化来定位导致漏电的微观缺陷位置。
半导体参数分析仪：核心设备，如Keysight B1500A等，提供高精度、宽范围的电压源与电流测量单元。
低噪声电流前置放大器：用于将探测器产生的微弱电流信号放大并转换为电压信号，便于测量。
低温探针台：提供真空或惰性气体环境，并可将样品冷却至液氮温度（77K）或更低，模拟工作条件。
高精度多路开关系统：用于阵列测试，实现测试仪器在多个探测器像元之间的自动切换。
电磁屏蔽箱/暗箱：隔绝外部电磁干扰和环境光，确保暗电流测量的准确性。
精密微操纵探针：在探针台上与HgCdTe芯片的微小电极形成可靠的欧姆接触，进行信号注入与提取。
标准光源与斩波器：用于进行有光照条件下的对比测试或光致电流抑制法测试。
真空泵及气体净化系统：为低温探针台提供并维持高真空或干燥纯净的惰性气体环境，防止结霜。
数据采集与控制计算机：运行专用测试软件，控制所有仪器协同工作，实现自动化测试与数据记录。
高稳定度直流电源：作为参数分析仪的补充或独立使用，为某些特定测试提供更稳定的偏置电压。
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