晶面间距测量:通过测量高分辨像或衍射图中晶格条纹或衍射斑点的间距,精确计算材料特定晶面的面间距,是确定晶体结构的基础。
晶体取向确定:利用选区电子衍射或会聚束电子衍射花样,分析晶带轴方向,确定单个晶粒或纳米颗粒的晶体学取向。
晶体结构鉴定:将测得的衍射花样与标准晶体数据库进行比对,从而鉴定未知材料的晶体结构(如面心立方、体心立方等)。
晶格畸变与应变分析:通过测量晶格条纹的局部弯曲或间距变化,定量分析材料因缺陷、应力或成分不均引起的晶格畸变和应变场分布。
晶界与相界结构分析:在高分辨模式下直接观察晶界或相界的原子排列,确定其结构类型、取向关系及原子配位情况。
位错等晶体缺陷表征:利用衍射衬度像或高分辨像,观察并分析位错、层错、孪晶等晶体缺陷的核心结构、类型和密度。
纳米颗粒尺寸与形貌统计:结合明场像和衍射信息,对纳米颗粒的尺寸分布、晶体形状及结晶性进行系统统计和分析。
物相分布与界面分析:在多相材料中,通过衍射衬度或高分辨像识别不同物相,并清晰揭示相界面的结构、共格性或非共格性。
有序超结构检测:通过衍射花样中出现的超晶格斑点,检测合金或化合物中的原子有序化现象,分析其有序畴结构和尺寸。
晶体生长方向判定:对于纳米线、二维材料等,结合形貌像和衍射分析,确定其特定的晶体生长方向(如[110], [001]等)。
金属及合金材料:包括钢铁、铝合金、高温合金等,分析其相组成、析出相结构、位错网络及晶界特性。
半导体材料:如硅、锗、III-V族化合物等,用于鉴定外延层质量、界面失配位错及量子阱/点结构。
陶瓷与耐火材料:分析其晶粒结构、晶界玻璃相、第二相分布以及高温下的相变行为。
纳米材料:包括金属、氧化物、碳材料等纳米颗粒、纳米线及纳米片,表征其尺寸、形貌、晶体结构和表面状态。
功能薄膜与涂层:如光学薄膜、硬质涂层、超导薄膜等,分析薄膜的结晶性、织构、界面结构与缺陷。
催化剂材料:观察负载型催化剂中活性组分的颗粒大小、晶型、分散度及其与载体的界面关系。
能源材料:如锂离子电池正负极材料、燃料电池催化剂、光伏材料等,研究其晶格结构演变与电化学性能的关联。
地质与矿物样品:用于鉴定矿物种类、分析晶体微结构、包裹体以及地壳岩石的变形历史。
高分子与生物晶体:在低温条件下,可分析具有长程有序结构的聚合物晶体以及蛋白质等生物大分子晶体。
先进低维材料:如石墨烯、过渡金属硫族化合物等二维材料,直接观测其原子排列、层数、堆垛次序及本征缺陷。
选区电子衍射:使用选区光阑限制分析区域,获得对应微区的衍射花样,用于晶体结构鉴定和取向分析。
高分辨透射电子显微术:在最佳欠焦条件下,直接获得晶体原子柱投影的条纹像,实现晶体结构的直接可视化。
会聚束电子衍射:使用会聚的电子束照射样品,获得包含丰富晶体对称性信息的衍射盘,用于精确测定晶体厚度和对称性。
明场像与暗场像技术:通过选择透射束或某一衍射束成像,获得基于衍射衬度的图像,用于观察缺陷、第二相和晶粒形貌。
高角环形暗场像:在扫描透射模式下,利用高角散射电子成像,其衬度近似原子序数衬度,特别适用于成分不均的材料。
几何相位分析:一种基于高分辨像的数字图像处理技术,可高精度地测量和映射晶格应变和旋转场。
电子能量损失谱:分析透射电子能量损失,获取样品的元素组成、化学价态及近邻结构信息,与形貌和衍射信息互补。
能量过滤透射电子显微术:利用能量过滤器选择特定能量损失的电子成像,获得元素分布图或消除色差以提高图像质量。
电子断层三维重构:通过倾转样品采集一系列投影图像,重建出样品内部三维的形貌和结构信息。
原位TEM技术:在加热、冷却、加电或力学加载等原位条件下进行观察,实时研究晶格结构在外场作用下的动态演变过程。
常规透射电子显微镜:通常指加速电压在80-200 kV的TEM,配备基本成像和衍射功能,适用于大多数材料的常规晶格分析。
场发射枪透射电镜:采用场发射电子枪,提供更亮、更相干的光源,显著提升高分辨像的分辨率和衍射花样的质量。
球差校正透射电镜:通过球差校正器消除透镜球差,将信息分辨率提升至亚埃级别,可实现单个原子柱甚至轻元素的直接观察。
扫描透射电子显微镜:以细聚焦电子束扫描样品,同步收集多种信号(如HAADF),特别适合进行成分分析与原子分辨率成像。
双束电镜系统
冷冻传输样品杆:用于对水合、生物或对电子束敏感的材料进行低温冷冻固定和转移,防止其在分析过程中被破坏。
能谱仪:通常为硅漂移探测器型,安装在TEM镜筒上,用于对样品进行快速的点、线、面元素成分分析。
电子能量损失谱仪:高精度的磁棱镜谱仪,用于分析透射电子的能量损失,获取元素的精细结构和化学信息。
CCD或CMOS相机:数字图像采集系统,用于记录电镜图像和衍射花样,其灵敏度、动态范围和像素尺寸直接影响数据质量。
原位样品杆:包括加热杆、电学测量杆、力学测试杆等,使样品在电镜内处于特定环境或外场下,用于动态过程研究。
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8、寄送报告原件
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