自旋极化率绝对值:定量表征材料中某一能量处(通常为费米能级)自旋向上与自旋向下电子态密度之比,是衡量材料自旋极化能力的核心参数。
能带结构自旋分辨:测量材料电子能带结构在不同动量空间中自旋向上和自旋向下分支的分布,揭示自旋相关的能带劈裂现象。
费米面自旋纹理:探测费米面上电子自旋的指向(偏振方向)随动量变化的规律,对于理解自旋-轨道耦合效应至关重要。
磁滞回线(自旋极化相关):在施加外磁场条件下,测量与自旋极化相关的信号(如磁电阻或二次电子产额)随磁场变化的曲线,反映材料的磁化与翻转特性。
自旋注入效率:评估从铁磁电极向非磁材料或半导体中注入自旋极化电流的效率,是自旋器件性能的关键指标。
自旋寿命与扩散长度:测量非平衡自旋在材料中维持其极化方向的时间(寿命)和能够传播的距离(扩散长度)。
界面自旋散射:研究在不同材料界面处,自旋极化电子受到的散射特性,对多层膜器件的性能有决定性影响。
温度依赖的自旋极化率:考察自旋极化率随温度变化的规律,用于研究相变、磁有序温度以及热效应对自旋态的影响。
元素分辨的自旋极化态密度:结合元素分析技术,获取材料中特定元素原子轨道对总自旋极化态密度的贡献。
光致自旋极化:研究利用圆偏振光照射材料诱导产生非平衡自旋极化的现象与效率,是光控自旋器件的基础。
铁磁金属与合金:如铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)及其合金(如坡莫合金),是传统的强自旋极化材料。
半金属铁磁体:如CrO2、La0.7Sr0.3MnO3等,其费米面处一种自旋方向的电子具有金属性,另一种则具有绝缘性,理论上具有100%的自旋极化率。
稀磁半导体:如(Ga, Mn)As,通过掺杂磁性离子在半导体中引入铁磁性,旨在实现电荷与自旋的自由操控。
拓扑绝缘体表面态:其受时间反演对称性保护的表面态具有自旋动量锁定的特性,是产生纯自旋流的理想平台。
二维磁性材料:如CrI3、Fe3GeTe2等原子层厚度的范德华材料,其层间耦合与自旋极化特性是研究前沿。
自旋玻璃与复杂磁性体系:具有阻挫或竞争相互作用的体系,其低能激发态的自旋极化特性非常复杂。
有机自旋电子材料:具有长自旋寿命和弱自旋-轨道耦合的有机半导体或分子磁体。
超导体/铁磁体异质结:研究邻近效应下,超导序参量与自旋极化序参量之间的相互竞争与共存。
多铁性材料:同时具有铁磁(或反铁磁)与铁电序的材料,可研究电控磁或磁控电过程中的自旋极化变化。
纳米结构与薄膜器件:包括磁性隧道结、自旋阀等人工微结构,直接测试其功能单元的自旋相关输运性质。
自旋分辨光电子能谱:利用圆偏振光激发样品,并通过自旋探测器分析出射光电子的自旋状态,是测量能带结构自旋极化的最直接方法。
Andreev反射谱:基于超导-铁磁点接触中的Andreev反射过程对自旋的敏感性,通过测量微分电导反演费米面处的自旋极化率。
磁性隧道结测量法:通过制备磁性隧道结器件,测量其隧穿磁电阻值,进而推算电极材料的有效自旋极化率。
点接触Andreev反射:使用超导针尖与待测样品形成纳米尺度点接触,是一种无需制备复杂器件的原位测量技术。
自旋极化扫描隧道显微镜:使用铁磁材料制成的STM针尖,通过扫描隧道谱同时获得原子级分辨的形貌和局域自旋极化信息。
非局域磁电阻测量:在横向非局域几何结构中,通过纯电学方法分离和检测自旋扩散与积累信号,用于测量自旋寿命和扩散长度。
二次电子发射显微术:利用铁磁样品发射的二次电子本身具有的自旋极化特性进行成像,可直观显示磁畴结构。
Kerr/Faraday旋转效应:测量线偏振光被磁性材料反射或透射后偏振面的旋转角度,与材料的磁化强度及自旋极化相关。
圆偏振磁光二向色性:测量材料对左旋和右旋圆偏振光吸收系数的差异,该差异直接对应于电子态的自旋极化。
mu子自旋弛豫技术:将极化的正μ子注入样品中,通过探测其衰变电子的不对称性来研究材料内部的局域磁场和动态过程,间接反映自旋环境。
自旋分辨角分辨光电子能谱仪:集成高亮度同步辐射光源或深紫外激光源、高效电子能量分析器和低能自旋探测器的超高真空系统。
低温强磁场Andreev反射谱仪:包含稀释制冷机或超导磁体、纳米定位系统、超导针尖制备装置以及精密锁相放大测量电路。
超高真空薄膜制备与原位测试联合系统:将分子束外延、磁控溅射等薄膜生长设备与光电子能谱、STM等分析设备集成于同一真空体系内。
综合物性测量系统:具备低温、强磁场环境,并可集成直流/交流电输运、热输运、磁化强度等多种测量模块。
自旋极化扫描隧道显微镜:核心为镀有铁磁薄膜(如Fe、Co)的STM针尖,并配备低温、高真空和振动隔离系统。
飞秒激光泵浦-探测系统:用于超快时间尺度研究自旋动力学,通常包括飞秒激光器、光学延迟线及偏振探测光路。
Kerr/Faraday效应显微成像系统:结合高灵敏度光电探测器、偏振光学元件和精密样品扫描台,用于磁畴成像。
同步辐射光束线(圆偏振光模式)
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