元素定性识别:通过分析芯能级电离边的特征能量位置,确定样品中存在的元素种类。
元素定量分析:利用电离边的强度,结合理论模型和标准样品,计算样品中特定元素的原子浓度。
化学态与价态分析:通过观察电离边的精细结构(如化学位移、白线强度比),分析元素的化学环境和氧化态。
近边精细结构分析:详细解析电离边阈值附近50eV内的精细特征,获取局域电子结构和键合信息。
低能损失谱分析:研究价电子激发的等离子体振荡和带间跃迁,反映材料的介电性能和能带结构。
厚度测量:利用零损失峰与总谱的强度比,估算样品在分析区域的局部厚度。
元素面分布成像:通过扫描探针并记录特定能量损失信号,绘制样品中特定元素的二维空间分布图。
线扫描分析:沿一条直线逐点采集EELS谱,获得元素或化学态沿该直线的变化曲线。
界面与缺陷分析:对界面、晶界或位错等缺陷区域进行高空间分辨率分析,研究元素偏聚或化学变化。
电子密度与能带隙测定:从低能损失谱中提取介电函数,进而推导出光学带隙和电子密度等信息。
轻元素分析:特别擅长检测锂、硼、碳、氮、氧等对X射线能谱(EDS)较难分析的轻元素。
过渡金属元素:广泛应用于铁、钴、镍、锰等过渡金属及其氧化物的价态和配位环境研究。
稀土元素:可用于分析镧系元素,其白线特征对价态和配位数非常敏感。
纳米颗粒与团簇:对尺寸仅为几个纳米的颗粒或团簇进行成分和化学态分析。
二维材料:如石墨烯、过渡金属硫族化合物等单层或少数层材料的成分与电子结构表征。
催化剂材料:分析催化活性中心的元素组成、价态及其在反应前后的变化。
电池电极材料:研究锂离子电池等电极材料在充放电过程中元素价态与分布的演变。
半导体器件:用于分析半导体异质结、量子阱的界面化学成分与扩散情况。
生物与有机材料:在低剂量条件下,可对生物样本、高分子材料中的轻元素进行成像和分析。
地质与矿物样品:分析矿物中微量元素的赋存状态及价态,研究地球化学过程。
透射模式EELS:将单色电子束穿透薄样品,收集非弹性散射电子,获得能量损失谱,是主要工作模式。
能量过滤成像:使用能量过滤器,选择特定能量损失的电子成像,获得元素分布或化学态分布图。
光谱成像:在样品区域进行逐点扫描,每点记录一张完整的EELS谱,形成三维数据立方体。
差分泵浦EELS:允许样品处于较低真空或气体环境中进行测量,用于原位反应研究。
单色器增强EELS:采用单色化电子源,显著提高能量分辨率,用于探测更精细的电子结构。
双EELS技术:同时采集低能损失区和高能损失区的谱线,便于进行精确的厚度测量和背景扣除。
多元统计分析方法:如主成分分析或独立成分分析,用于从大量光谱数据中提取有效信息和去噪。
模型拟合定量法:利用理论计算的电离截面或标准谱,对实验谱进行拟合以实现定量分析。
空间漂移校正法:在长时间光谱采集中,通过软件校正样品漂移,保证空间分析的准确性。
低剂量采集技术:通过降低束流和优化采集策略,减少电子束对敏感样品(如生物样品)的损伤。
透射电子显微镜:作为EELS分析的主体平台,提供高能电子束和高空间分辨率成像能力。
磁棱镜能量分析器:核心部件,利用磁场将不同能量损失的电子分散开,形成能量谱。
CCD或直接电子探测器:用于记录分散后的电子强度信号,要求具有高灵敏度、低噪声和高速读取能力。
单色器:安装在电子枪之后,用于压缩入射电子束的能量展宽,将能量分辨率提升至0.1eV甚至更高。
扫描透射电子显微镜附件:实现探针扫描模式,为光谱成像和线扫描提供必要条件。
能量过滤器:如Gatan成像过滤器或Omega过滤器,用于进行能量过滤成像和选择能量窗口。
低温样品杆
原位样品杆:可集成加热、通电、液体或气体环境等功能,用于在动态条件下进行EELS分析。
高亮度电子枪:如场发射电子枪或肖特基发射枪,提供高亮度、高相干性的电子源,提升信噪比。
高性能计算机与正规软件
1、咨询:提品资料(说明书、规格书等)
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