晶体取向标定:通过采集的菊池衍射花样,精确确定单晶样品表面选定点的晶体学取向,通常以欧拉角或晶体学方向相对于样品坐标系的形式表达。
取向差分析:评估单晶内部不同区域(如亚晶界两侧)之间的晶体取向微小偏差,用于研究晶体完整性。
晶界与亚晶界表征:识别并分类单晶中可能存在的低角度晶界或亚晶界,分析其取向差角度和旋转轴。
晶体完整性评估:通过取向分布的均匀性和一致性,定性及半定量地评估单晶的结晶质量与完美程度。
表面再结晶分析:检测单晶材料经过加工或热处理后,表面是否形成非预期的再结晶晶粒及其取向。
滑移系与变形痕迹分析:根据局部取向变化,分析单晶在受力后可能激活的滑移系,追溯塑性变形历史。
极图与反极图绘制:将各测点的取向信息统计绘制成极图或反极图,直观展示晶体取向的宏观分布。
取向成像图采集:通过面扫描获得样品的取向分布图,将不同取向以不同颜色可视化,直观显示单晶取向的宏观均匀性。
相鉴定:虽然单晶主要为单一相,但EBSD可确认该相的具体晶体结构类型(如FCC、BCC),并排除杂相存在。
样品制备质量验证:通过EBSD图像质量图,评估样品电解抛光或离子抛光后的表面无应力层质量,确保衍射信号JianCe。
半导体单晶硅/锗片:用于集成电路和光伏产业,分析晶圆切割后的晶向偏差、表面损伤层取向变化。
高温合金单晶叶片:航空发动机涡轮叶片晶体取向一致性检测,确保其沿最优力学性能方向生长。
光学功能单晶:如蓝宝石、钇铝石榴石、氟化钙等,分析其光学轴与样品几何方向的关系。
超导单晶材料:如铋锶钙铜氧等,研究其晶体学取向与超导各向异性性能的关联。
磁性单晶材料:分析易磁化轴方向,为磁性器件设计提供基础晶体学数据。
金属单晶制备体:如纯铜、纯铝、纯镍等研究用单晶,用于基础变形机制研究。
地质矿物单晶:如石英、方解石等天然或合成单晶,分析其生长方向和变形历史。
压电与铁电单晶:如铌酸锂、钽酸锂,确定其极化轴方向与电学性能的各向异性关系。
定向凝固共晶合金:具有规则排列的两相单晶状组织,分析相与相之间的晶体学取向关系。
外延薄膜衬底单晶:分析GaAs、InP等化合物半导体衬底的精确取向,为外延生长提供基准。
样品制备:采用电解抛光或氩离子束抛光技术,获得无应变、无划痕的平整镜面,以产生高质量的菊池衍射花样。
样品安装与倾转:将样品稳固安装于样品台,并在扫描电镜中倾转约70度角,使样品表面与EBSD探测器形成最佳几何关系。
电镜条件优化:选择适当的加速电压、束流和束斑尺寸,在保证信号强度的同时,兼顾空间分辨率。
菊池花样采集:电子束在样品表面逐点扫描,背散射电子产生的菊池带图案被磷屏探测器接收并转化为数字图像。
花样标定:软件自动识别菊池带的位置、宽度和夹角,与内置的晶体结构数据库匹配,计算出该点的晶体取向。
网格扫描与数据采集:设定扫描区域和步长,进行自动逐点采集和标定,生成包含取向、图像质量等信息的数据库。
数据后处理与分析 取向差计算:软件计算相邻两点或选定两点之间的取向差矩阵,得到旋转角度和轴。 图像质量图分析:利用衍射花样的JianCe度(对比度)生成图像质量图,反映晶格畸变、缺陷密度和表面状况。 统计分析与绘图:对全图或选定区域的取向数据进行统计,生成极图、反极图、取向分布函数等图表。 场发射扫描电子显微镜:提供高亮度、高相干性的电子束源,是实现高空间分辨率EBSD分析的基础平台。 EBSD磷屏探测器:核心部件,用于接收背散射电子激发的菊池衍射花样并将其转换为可见光信号。 高灵敏度CCD相机:快速拍摄磷屏上的菊池花样图像,并将其数字化传输至计算机。 高速图像处理单元:实时处理CCD传来的图像,进行花样识别和标定计算,要求有强大的计算能力。 精密倾转样品台 能谱仪:常与EBSD联用,在进行取向分析的同时获取微区化学成分信息,辅助相鉴定。 1、咨询:提品资料(说明书、规格书等) 2、确认检测用途及项目要求 3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息) 4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测) 5、收到样品,安排费用后进行样品检测 6、检测出相关数据,编写报告草件,确认信息是否无误 7、确认完毕后出具报告正式件 8、寄送报告原件检测仪器设备
检测流程
第三方检测机构,国家高新技术企业,工程师科研团队,国内外先进仪器!