碳化硅场效应管检测

因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。

检测项目

阈值电压检测：测量器件开启时的栅极电压，典型范围2.0~4.0V，精度±0.1V。

导通电阻检测：评估导通状态下漏源极间电阻，测量范围1mΩ~1Ω，误差≤2%。

击穿电压检测：确定器件最大耐受电压，测试电压范围600~1700V，步进精度1V。

栅电荷检测：测量栅极充电电荷总量，参数Qg范围50~500nC，分辨率0.1nC。

开关时间检测：包括开通延迟时间（td(on)）和上升时间（tr），时间范围10ns~100μs，精度±1ns。

热阻检测：评估结壳热阻，测量值Rth(j-c)范围0.1~5.0℃/W，温控精度±0.5℃。

漏电流检测：测试关断状态漏电流，电流范围1nA~1mA，灵敏度1pA。

动态导通电阻检测：测量开关过程中的电阻变化，参数Rds(on)动态范围±10%，采样率1MHz。

米勒电容检测：评估栅漏电容Cgd，电容值范围100pF~10nF，频率响应100kHz~10MHz。

高温反偏测试：施加反向电压于高温环境，测试条件温度125~175℃，电压500~1000V。

雪崩能量检测：测量器件承受雪崩击穿的能量，能量范围1~100mJ，脉冲宽度100ns~10μs。

短路耐受能力测试：模拟短路状态，测试时间范围1~10μs，电流测量精度±5%。

栅极氧化物完整性检测：评估栅极绝缘层可靠性，测试电压范围20~50V，泄漏电流阈值<1μA。

温度系数检测：分析电阻参数随温度变化，温度范围-55~175℃，系数范围±0.5%/℃。

检测范围

SiC晶圆：检测碳化硅衬底材料质量和表面缺陷。

SiC MOSFET裸片：评估单个器件芯片的电气和热性能。

SiC功率模块：测试集成模块在高压高电流下的整体可靠性。

新能源汽车逆变器：针对电动汽车驱动系统的功率转换效率检测。

太阳能光伏逆变器：评估太阳能发电系统中的器件稳定性和效率。

工业变频器：检测工业电机控制设备中的开关损耗和热管理。

铁路牵引系统：应用于高速列车电源转换器的耐久性测试。

航空航天电源：评估航空电子设备的高温高压环境适应性。

数据中心电源：测试服务器电源模块的节能性能和可靠性。

消费电子充电器：针对快速充电设备的开关特性检测。

医疗设备电源：应用于医疗仪器高压电源的绝缘安全性评估。

可再生能源储能系统：检测电池管理系统中的功率器件效率。

电机驱动器：评估工业机械驱动电路的动态响应性能。

军用电子设备：针对军事领域极端环境下的耐久测试。

智能电网设备：检测电网转换器的过压保护和稳定性。

检测标准

依据ASTM F1248标准进行热阻测量。

遵循ISO 16750规范评估汽车电子环境可靠性。

采用GB/T 15291方法测试半导体参数特性。

依据JEDEC JESD22-A108标准执行高温反偏测试。

遵循IEC 60749系列标准进行气候环境耐久性评估。

采用GB/T 2423系列标准模拟高低温循环测试。

依据ASTM D257规范测量绝缘电阻参数。

遵循ISO 9001质量管理体系要求进行检测流程。

采用GB/T 17626标准评估电磁兼容性能。

依据JEDEC JESD78标准执行静电放电测试。

遵循IPC-9701规范进行机械应力可靠性评估。

采用GB/T 5097标准测试开关时间动态参数。

检测仪器

半导体参数分析仪：测量器件阈值电压、导通电阻等静态参数，支持电压范围±200V，电流分辨率1fA。

功率器件分析仪：评估开关时间、栅电荷等动态性能，功能包括高速脉冲生成和波形捕获。

热阻测试仪：检测结壳热阻和温度系数，配备热电偶接口，温控精度±0.1℃。

高速示波器：记录开关波形和瞬态响应，带宽范围1GHz，采样率20GS/s。

环境试验箱：用于高温反偏和温度耐久测试，温度范围-70~200℃，湿度控制精度±2%RH。

动态导通电阻测试仪：测量开关过程中的电阻变化，支持实时数据采集，采样速率1MS/s。

雪崩能量测试系统：施加高压脉冲评估器件耐受能力，电压范围0~2000V，能量测量精度±3%。

漏电流测试仪：检测关断状态泄漏电流，电流测量范围1pA~1mA，分辨率0.1pA。

电容测试仪：评估米勒电容和寄生参数，频率范围100Hz~10MHz，电容分辨率0.1pF。

短路测试平台：模拟短路工况，电流测量范围0~100A，时间控制精度1μs。

检测流程

1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)

2、确认检测用途及项目要求

3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)

4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)

5、收到样品，安排费用后进行样品检测

6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误

7、确认完毕后出具报告正式件

8、寄送报告原件