中析研究所检测中心
400-635-0567
中科光析科学技术研究所
公司地址:
北京市丰台区航丰路8号院1号楼1层121[可寄样]
投诉建议:
010-82491398
报告问题解答:
010-8646-0567
检测领域:
成分分析,配方还原,食品检测,药品检测,化妆品检测,环境检测,性能检测,耐热性检测,安全性能检测,水质检测,气体检测,工业问题诊断,未知成分分析,塑料检测,橡胶检测,金属元素检测,矿石检测,有毒有害检测,土壤检测,msds报告编写等。
发布时间:2025-06-24
关键词:反向电压测试测试周期,反向电压测试项目报价,反向电压测试测试仪器
浏览次数:
来源:北京中科光析科学技术研究所
因业务调整,部分个人测试暂不接受委托,望见谅。
反向击穿电压测试:测量PN结发生雪崩击穿的临界电压值,测试范围0-3000V,精度±1.5%
反向漏电流检测:在额定反向电压下测定纳安级泄漏电流,量程1nA-10mA,分辨率0.1nA
温度系数验证:在-55℃至+150℃环境舱中测试击穿电压温度漂移,温控精度±0.5℃
电压耐受持续性试验:施加85%额定反向电压持续168小时,监测参数漂移量
动态反向恢复特性:测量Trr反向恢复时间,时间分辨率达10ns
热击穿失效分析:记录器件失效时的结温数据,红外测温精度±2℃
反向偏置安全工作区(RBSOA)测绘:建立电压-电流-脉宽三维安全工作边界
软恢复特性评估:采用di/dt=100A/μs测试条件分析电压过冲峰值
寄生电容测量:在1MHz频率下测试结电容值,精度±3%
反向恢复电荷量测定:积分计算Qrr值,量程0.1-1000μC
雪崩能量耐受测试:模拟感性负载切换时的单脉冲雪崩能量,范围1-500mJ
重复雪崩可靠性:连续施加10000次额定雪崩能量,记录参数退化
整流二极管:包括硅快恢复二极管、肖特基二极管等功率转换器件
稳压二极管:齐纳二极管、瞬态电压抑制器等过压保护元件
功率晶体管:IGBT、MOSFET等开关器件的体二极管特性检测
桥式整流模块:多芯片封装结构的整体反向耐压验证
光伏旁路二极管:太阳能组件用二极管的抗反向电流能力评估
汽车电子系统:发电机整流桥、ECU保护电路等车载电子部件
开关电源模块:AC/DC转换器中输出整流电路的关键元件
LED驱动电路:照明系统中防反接保护二极管的可靠性验证
工业变频器:逆变单元中续流二极管的雪崩耐受能力测试
消费电子产品:手机充电器、适配器等电源部件的安全检测
轨道交通设备:牵引变流器中高压二极管的失效模式分析
军用电子设备:极端环境下器件反向电压特性的退化研究
IEC 60747半导体分立器件测试方法标准
JESD22-A108F 静电耐受能力测试标准
GB/T 4937-2012 半导体器件机械和气候试验方法
MIL-STD-750 军用半导体器件试验方法
JEDEC JEP184 功率器件雪崩失效评估指南
AEC-Q101 汽车电子元器件认证测试规范
IEC 60749-22 半导体器件热特性测试标准
GB/T 4589.1-2006 半导体器件分立器件总规范
ISO 16750-2 道路车辆电气电子环境条件
EIAJ ED-4701 日本电子元器件可靠性试验标准
IEC 62047-11 半导体器件微机电可靠性试验
GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法
JESD77D 功率电子转换器件数据手册标准
高压直流电源系统:输出范围0-10kV,纹波系数≤0.1%,提供精准反向偏置电压
半导体参数分析仪:具备10fA电流分辨率,支持击穿特性曲线扫描
动态特性测试平台:配备100MHz示波器和高速脉冲发生器,捕获ns级恢复过程
热阻测试系统:集成热电偶和红外热像仪,实时监测结温变化
环境应力试验箱:温度范围-70℃至+200℃,湿度控制精度±2%RH
雪崩能量测试仪:电容储能式脉冲电路,能量设定精度±3%
浪涌电流发生器:产生8/20μs标准波形,峰值电流20kA
高精度LCR表:1MHz测试频率下测量结电容和寄生电感参数
失效分析显微镜:200倍光学放大系统,定位击穿烧毁点
自动探针台:六轴精密定位,支持晶圆级反向特性测试
1、咨询:提品资料(说明书、规格书等)
2、确认检测用途及项目要求
3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)
4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)
5、收到样品,安排费用后进行样品检测
6、检测出相关数据,编写报告草件,确认信息是否无误
7、确认完毕后出具报告正式件
8、寄送报告原件