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成分分析,配方还原,食品检测,药品检测,化妆品检测,环境检测,性能检测,耐热性检测,安全性能检测,水质检测,气体检测,工业问题诊断,未知成分分析,塑料检测,橡胶检测,金属元素检测,矿石检测,有毒有害检测,土壤检测,msds报告编写等。

反向电压测试检测

发布时间:2025-06-24

关键词:反向电压测试测试周期,反向电压测试项目报价,反向电压测试测试仪器

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来源:北京中科光析科学技术研究所

文章简介:

反向电压测试检测是评估电子元器件耐受反向偏置电压能力的专业检测项目。核心检测要点包括击穿电压特性、漏电流参数、热稳定性验证及失效模式分析。该检测可准确判定二极管、晶体管等器件的反向耐压极限,为电路安全设计提供关键数据支撑,遵循国际电工委员会标准体系。
点击咨询

因业务调整,部分个人测试暂不接受委托,望见谅。

检测项目

反向击穿电压测试:测量PN结发生雪崩击穿的临界电压值,测试范围0-3000V,精度±1.5%

反向漏电流检测:在额定反向电压下测定纳安级泄漏电流,量程1nA-10mA,分辨率0.1nA

温度系数验证:在-55℃至+150℃环境舱中测试击穿电压温度漂移,温控精度±0.5℃

电压耐受持续性试验:施加85%额定反向电压持续168小时,监测参数漂移量

动态反向恢复特性:测量Trr反向恢复时间,时间分辨率达10ns

热击穿失效分析:记录器件失效时的结温数据,红外测温精度±2℃

反向偏置安全工作区(RBSOA)测绘:建立电压-电流-脉宽三维安全工作边界

软恢复特性评估:采用di/dt=100A/μs测试条件分析电压过冲峰值

寄生电容测量:在1MHz频率下测试结电容值,精度±3%

反向恢复电荷量测定:积分计算Qrr值,量程0.1-1000μC

雪崩能量耐受测试:模拟感性负载切换时的单脉冲雪崩能量,范围1-500mJ

重复雪崩可靠性:连续施加10000次额定雪崩能量,记录参数退化

检测范围

整流二极管:包括硅快恢复二极管、肖特基二极管等功率转换器件

稳压二极管:齐纳二极管、瞬态电压抑制器等过压保护元件

功率晶体管:IGBT、MOSFET等开关器件的体二极管特性检测

桥式整流模块:多芯片封装结构的整体反向耐压验证

光伏旁路二极管:太阳能组件用二极管的抗反向电流能力评估

汽车电子系统:发电机整流桥、ECU保护电路等车载电子部件

开关电源模块:AC/DC转换器中输出整流电路的关键元件

LED驱动电路:照明系统中防反接保护二极管的可靠性验证

工业变频器:逆变单元中续流二极管的雪崩耐受能力测试

消费电子产品:手机充电器、适配器等电源部件的安全检测

轨道交通设备:牵引变流器中高压二极管的失效模式分析

军用电子设备:极端环境下器件反向电压特性的退化研究

检测标准

IEC 60747半导体分立器件测试方法标准

JESD22-A108F 静电耐受能力测试标准

GB/T 4937-2012 半导体器件机械和气候试验方法

MIL-STD-750 军用半导体器件试验方法

JEDEC JEP184 功率器件雪崩失效评估指南

AEC-Q101 汽车电子元器件认证测试规范

IEC 60749-22 半导体器件热特性测试标准

GB/T 4589.1-2006 半导体器件分立器件总规范

ISO 16750-2 道路车辆电气电子环境条件

EIAJ ED-4701 日本电子元器件可靠性试验标准

IEC 62047-11 半导体器件微机电可靠性试验

GJB 128A-97 半导体分立器件试验方法

JESD77D 功率电子转换器件数据手册标准

检测仪器

高压直流电源系统:输出范围0-10kV,纹波系数≤0.1%,提供精准反向偏置电压

半导体参数分析仪:具备10fA电流分辨率,支持击穿特性曲线扫描

动态特性测试平台:配备100MHz示波器和高速脉冲发生器,捕获ns级恢复过程

热阻测试系统:集成热电偶和红外热像仪,实时监测结温变化

环境应力试验箱:温度范围-70℃至+200℃,湿度控制精度±2%RH

雪崩能量测试仪:电容储能式脉冲电路,能量设定精度±3%

浪涌电流发生器:产生8/20μs标准波形,峰值电流20kA

高精度LCR表:1MHz测试频率下测量结电容和寄生电感参数

失效分析显微镜:200倍光学放大系统,定位击穿烧毁点

自动探针台:六轴精密定位,支持晶圆级反向特性测试

检测流程

1、咨询:提品资料(说明书、规格书等)

2、确认检测用途及项目要求

3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)

4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)

5、收到样品,安排费用后进行样品检测

6、检测出相关数据,编写报告草件,确认信息是否无误

7、确认完毕后出具报告正式件

8、寄送报告原件

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