砷化镓抛光片检测

因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。

检测项目

表面粗糙度、晶格常数测定、位错密度分析、厚度均匀性、弯曲度测量、翘曲度测试、表面金属污染、氧含量测定、碳含量分析、表面颗粒度统计、晶体取向偏差、电阻率分布、载流子浓度测试、迁移率测定、少子寿命测量、缺陷密度评估、表面划痕检测、边缘崩边分析、化学腐蚀速率测试、热稳定性验证、应力分布图谱、介电常数测定、红外透过率测试、荧光光谱分析、X射线双晶衍射峰宽测量、表面氧化层厚度测试、元素面分布扫描、微区成分分析、纳米压痕硬度测试、表面电势分布测绘。

检测范围

单晶砷化镓抛光片、异质结结构片、外延生长基片、离子注入处理片、化学机械抛光片（CMP）、激光切割加工片、VGF法生长基片、LEC法生长基片、HEMT器件用基板、光伏电池用基板、微波射频器件基板、LED外延衬底片、红外探测器基板、太赫兹器件基板、MEMS传感器基板、量子点结构基片、纳米线生长衬底片、超晶格结构基板、掺杂浓度梯度测试片（n型/p型）、退火处理实验片（快速退火/常规退火）、光刻胶涂覆测试片（正胶/负胶）、金属蒸镀实验片（Au/Ge/Ni）、干法刻蚀工艺验证片（RIE/ICP）、湿法腐蚀工艺验证片（H2SO4系/H3PO4系）、晶圆键合界面分析片（直接键合/中介层键合）、减薄工艺验证片（机械减薄/化学减薄）、再生循环利用测试片（回收抛光片）、抗辐射加固处理实验片（γ射线/质子辐照）、高温高湿老化实验片（85℃/85%RH）、低温存储验证片（-196℃液氮环境）。

检测方法

X射线衍射法（XRD）：通过测量(004)面衍射角计算晶格常数偏差值，精度可达0.0001nm。

原子力显微镜（AFM）：采用接触模式扫描55μm区域，获取Ra≤0.2nm的表面粗糙度数据。

霍尔效应测试：在0.5T磁场下测量载流子浓度与迁移率，温度控制范围77-300K。

微波光电导衰减（μ-PCD）：利用266nm激光激发少子寿命测量，空间分辨率达10μm。

二次离子质谱（SIMS）：采用Cs+离子束溅射进行深度剖析，检出限达1E12atoms/cm。

激光散射颗粒计数器：对≥0.1μm颗粒进行全自动统计分类，符合SEMIM73标准。

傅里叶红外光谱仪（FTIR）：通过特征吸收峰定量分析氧碳杂质含量。

扫描电子显微镜（SEM）：配备EDS实现微区成分分析及缺陷形貌表征。

四探针电阻率测试：采用直线四探针法测量方阻值并计算电阻率分布。

白光干涉仪：通过相移干涉技术实现纳米级三维表面形貌重建。

检测标准

ASTMF42-20《半导体材料载流子浓度测量的标准试验方法》

GB/T35098-2018《半导体材料中氧含量的测定脉冲加热惰气熔融-红外吸收法》

SEMIM59-1109《硅及化合物半导体晶片的术语》

ISO14646:2018《精细陶瓷(高级陶瓷)-半导体用抛光晶片的表面粗糙度测量方法》

JISH0605:2015《砷化镓单晶晶片的试验方法》

ASTMF657-19《半导体晶片弯曲度的标准测试方法》

GB/T32281-2015《半导体材料中重金属元素的测定电感耦合等离子体质谱法》

IEC60749-27:2019《半导体器件机械和气候试验方法第27部分：晶圆翘曲度测量》

SEMIMF397-0318《化合物半导体晶片的位错密度测试方法》

ASTMF1392-00(2020)《用自动非接触扫描法测量硅晶片翘曲度的标准试验方法》

检测仪器

高分辨率X射线衍射仪：配备四轴测角器与CuKα辐射源（λ=0.15406nm），用于精确测定晶格参数与晶体质量。

原子力显微镜系统：配置硅探针与闭环扫描器，Z轴分辨率达0.05nm，支持接触/轻敲双模式成像。

低温霍尔效应测试系统：集成液氮杜瓦与电磁铁系统（0.55T），温度控制精度0.1K。

飞行时间二次离子质谱仪：配备双离子枪与延迟提取技术，质量分辨率m/Δm≥15000。

全自动晶圆几何参数测量仪：基于激光干涉原理实现厚度TTV≤1μm的快速测量。

微波光电导衰减测试台：采用10GHz微波谐振腔与紫外脉冲激光器组合系统。

检测流程

1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)

2、确认检测用途及项目要求

3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)

4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)

5、收到样品，安排费用后进行样品检测

6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误

7、确认完毕后出具报告正式件

8、寄送报告原件