硅片PL质量检测

因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。

检测项目

PL质量检测聚焦于硅片光电特性的量化分析：

• 少子寿命测定：通过载流子复合速率推算少数载流子寿命
• 缺陷密度评估：识别位错、层错等晶体缺陷的空间分布特征
• 杂质浓度分析：基于特征峰强度定量测定氧、碳等杂质含量
• 表面复合速率计算：评估表面钝化工艺对器件效率的影响
• 带隙能量测定：通过光谱位移监测材料应力与掺杂水平

检测范围

本检测体系适用于以下硅片类型及应用场景：

检测方法

标准光致发光法（SPL）

采用532nm激光源激发样品表面：
1.激光功率密度控制在5-20mW/cm
2.样品温度维持300K0.5K
3.光谱采集范围800-1200nm
4.积分时间设定为100-500ms
5.空间分辨率不低于50μm

低温PL检测（LT-PL）

• 液氮冷却至77K环境操作
• 可解析深能级缺陷特征峰（0.8-1.0eV）
• 需配备真空密闭样品室（压力≤10⁻Pa）

变温PL分析（VT-PL）

1. 温度扫描范围80-400K
2. 升温速率≤5K/min
3. 同步记录发光强度与温度相关性曲线
4. 激活能计算采用Arrhenius方程拟合

检测仪器

PL成像系统核心组件

• 激发光源模块:-连续激光器（波长405/532/785nm）-功率稳定性≤1%/4h-光束均匀性＞95%
• 光学采集系统:-InGaAs阵列探测器（量子效率＞80%）-光谱分辨率＜2nm-XYZ三维自动样品台（重复定位精度1μm）
• 低温恒温器:-闭环氦气制冷系统-温度控制精度0.1K-最大样品尺寸200mm200mm
• 数据分析软件包:-PL强度三维成像功能-多峰高斯拟合算法-ASTMF1535标准数据库比对功能-缺陷自动分类模块（准确率＞90%）

辅助设备技术要求

仪器校准规范

• 波长校准：使用汞氩灯特征谱线（365.02/404.66/546.07nm）
  允许偏差0.3nm@全量程
• 强度校准：采用标准反射板（SRM-2036）进行相对强度校正
  线性度误差＜1%@动态范围10
• 空间标定：使用USAF1951分辨率靶标定成像系统
  最小可分辨线宽≤10μm
• 温度校准：铂电阻传感器（PT100）多点校验
  温度梯度＜0.5K/cm@样品台面

检测流程

1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)

2、确认检测用途及项目要求

3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)

4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)

5、收到样品，安排费用后进行样品检测

6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误

7、确认完毕后出具报告正式件

8、寄送报告原件