晶圆检测

因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。

检测项目

晶圆检测体系包含三大核心模块：表面完整性评估、电学特性验证及结构参数测量。表面缺陷检测聚焦于颗粒污染（Particle Contamination）、机械损伤（如划痕/凹坑）、化学残留物（Etching Residue）及图形畸变（Pattern Distortion）的识别与量化分析；电性测试涵盖接触电阻（Contact Resistance）、漏电流（Leakage Current）、击穿电压（Breakdown Voltage）及载流子迁移率（Carrier Mobility）等关键参数；薄膜特性测量则包括氧化层厚度（Oxide Thickness）、金属层阶梯覆盖率（Step Coverage）及介质层介电常数（Dielectric Constant）的精确标定。

检测范围

现代晶圆检测覆盖8英寸至12英寸主流规格硅片及化合物半导体衬底（如GaAs/SiC），贯穿前道制程全周期：抛光后基片需进行表面粗糙度（Surface Roughness＜0.2nm RMS）与翘曲度（Bow/Warp＜50μm）验证；光刻工序后执行关键尺寸量测（CD-SEM测量线宽偏差±3nm）；离子注入阶段通过热波系统（Thermal Wave）监控掺杂浓度均匀性；金属化工艺后采用X射线荧光光谱（XRF）验证镀层成分一致性。

检测方法

光学显微术采用深紫外光源（DUV, 波长193nm）配合相衬成像技术实现亚微米级缺陷定位；扫描电子显微镜（SEM）通过二次电子成像解析纳米级结构形貌；原子力显微镜（AFM）以探针接触式扫描获取表面三维拓扑数据（分辨率0.1nm）；椭偏仪（Ellipsometry）基于偏振光干涉原理计算薄膜光学常数与厚度；四探针法（Four-Point Probe）通过恒流源施加与电压降测量推算薄层电阻率；微波光电导衰减（μ-PCD）技术利用载流子寿命反演晶体质量。

检测仪器

科磊半导体量测系统（KLA-Tencor Surfscan SP系列）配置多波长激光散射模块实现全自动颗粒计数；日立高新扫描电镜（Hitachi CG6300）搭载能谱仪（EDS）完成元素成分分析；布鲁克原子力显微镜（Bruker Dimension Icon）配备峰值力轻敲模式保护敏感样品；牛津仪器等离子体质谱仪（ICP-MS）用于痕量金属污染检测（ppb级灵敏度）；应用材料公司光学膜厚仪（Applied Materials NovaScan 3090）集成256点同步测量提升产能；泰瑞达自动化测试机台（Teradyne UltraFLEX）支持多站点并行电性参数采集。

检测流程

1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)

2、确认检测用途及项目要求

3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)

4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)

5、收到样品，安排费用后进行样品检测

6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误

7、确认完毕后出具报告正式件

8、寄送报告原件