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发布时间：2025-04-10
关键词：场效应管检测方法,场效应管试验仪器,场效应管项检测报价
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来源：北京中科光析科学技术研究所
因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。
场效应管核心检测项目包含三大类共12项关键指标：
静态参数：栅源阈值电压（VGS(th)）、漏源导通电阻（RDS(on)）、栅极漏电流（IGSS）、体二极管正向压降（VSD）
动态参数：开关时间（td(on)/td(off)）、反向恢复时间（trr）、输入/输出电容（Ciss/Coss）
可靠性指标：高温反偏（HTRB）寿命、温度循环（TCT）耐受性、湿热偏置（THB）稳定性
本检测体系适用于以下场效应管类型：
| 分类维度 | 具体类型 |
|---|---|
| 材料体系 | 硅基MOSFET、碳化硅MOSFET、氮化镓HEMT |
| 结构类型 | 平面栅/沟槽栅MOSFET、VDMOS/横向扩散MOSFET、结型场效应管（JFET） |
| 功率等级 | 低压器件（＜100V）、中压器件（100-600V）、高压器件（＞600V） |
| 封装形式 | SOT-23/TO-220/D2PAK等分立封装、功率模块集成封装 |
依据IEC 60747-8标准建立三级测试体系：
静态特性测试法
采用四线制Kelvin连接消除接触电阻影响
栅极偏置电压按0.1V步进扫描测量ID-VGS曲线
漏源电压施加至额定值120%进行击穿特性测试
动态特性测试法
双脉冲测试平台构建：脉冲宽度10μs-1ms可调
采用差分探头测量米勒平台持续时间
通过RG(int)/RG(ext)组合优化开关损耗测量精度
1、咨询：提品资料(说明书、规格书等)
2、确认检测用途及项目要求
3、填写检测申请表(含公司信息及产品必要信息)
4、按要求寄送样品(部分可上门取样/检测)
5、收到样品，安排费用后进行样品检测
6、检测出相关数据，编写报告草件，确认信息是否无误
7、确认完毕后出具报告正式件
8、寄送报告原件
