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发布时间:2025-04-02
关键词:逆变器功率管检测周期,逆变器功率管检测机构,逆变器功率管检测方法
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来源:北京中科光析科学技术研究所
因业务调整,部分个人测试暂不接受委托,望见谅。
逆变器功率管检测包含五大核心项目:
静态参数测试:涵盖阈值电压Vth、导通电阻RDS(on)、漏电流IDSS等直流特性
动态特性分析:包括开关时间tr/tf、栅极电荷Qg、反向恢复时间trr
热性能评估:测量结-壳热阻RθJC、壳-散热器热阻RθCS
绝缘耐压测试:验证栅极-漏极间绝缘强度及漏电电流
失效模式分析:通过电应力试验识别过压击穿、过流烧毁等典型故障特征
本检测体系适用于以下应用场景:
应用领域 | 器件类型 | 典型规格 |
---|---|---|
工业变频器 | IGBT模块 | 1200V/300A以上 |
光伏逆变系统 | SiC MOSFET | 650V-1700V等级 |
UPS电源设备 | 功率MOSFET | TO-247封装器件 |
新能源汽车 | GaN HEMT | 40-100V车规级器件 |
覆盖硅基器件(Si)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等材料体系功率管的全生命周期检测需求。
采用四线法测量导通电阻:在25℃/125℃环境温度下施加额定电流IC,通过Kelvin连接消除引线电阻误差。阈值电压测量时以1mA漏极电流为基准点。
搭建双脉冲测试平台(DPT),直流母线电压设置为器件标称值的80%
使用电流探头测量集电极电流上升沿/下降沿时间
通过栅极驱动波形计算米勒平台持续时间Δtpl
记录不同结温下的开关损耗曲线(Eon/Eoff)
Tjmax=TCASE+PTOT*RθJC
采用瞬态热阻抗法(ZthJC(t))获取热容曲线
红外热像仪空间分辨率需≤15μm/pixel以捕捉芯片级温度分布
失效类型 | 特征信号识别方法 | 物理验证手段 |
---|---|---|
栅极氧化层击穿 | C-V特性曲线畸变率>5%时报警阈值触发X射线断层扫描(CT)检查栅极结构完整性。 | |
结合声学显微镜(SAM)定位分层缺陷位置。 | ||
碳化硅基底位错密度>10-4 ... |
仪器类别 | 典型型号及参数要求 | 功能说明 |
---|---|---|
静态参数测试系统 | 电流精度:±0.02% | 自动记录HFE/VCE(sat)参数 |
脉冲宽度:1μs-100ms | ||
动态特性测试平台 | 采样率:5GSa/s | 开关损耗精确积分计算 |
热特性分析设备 | 空间分辨率:1280×1024 | 生成三维热阻模型 |
失效分析仪器 | Z轴重复性:1.5nm | 三维形貌重构 |
环境试验箱 | 湿度范围:10%~98%RH | 湿热老化加速试验 |
绝缘耐压测试仪 | 漏电流精度:±1%+5dgt | 绝缘电阻测量 |