多晶硅检测,多晶硅成分分析,多晶硅检测项目及标准,多晶硅检测机构

因业务调整，部分个人测试暂不接受委托，望见谅。

　　中析研究所成分分析检测机构可提供多晶硅检测服务。检测范围包括多晶硅、太阳能电池多晶硅、多晶硅片等。检测项目包括成分分析、性能检测、质量检测等。中析研究所出具的检测报告支持扫码查询真伪，报告。

　　多晶硅检测范围：多晶硅、太阳能电池多晶硅、多晶硅片、多晶硅太阳能板、多晶硅光伏组件、光伏多晶硅、多晶硅料、强大多晶硅片、多晶硅制品、低温多晶硅等。

　　多晶硅检测项目：成分分析、成分检测、成分鉴定、性能检测、质量检测、电阻率检测、腐蚀检测、老化检测等。

　　多晶硅检测周期：样品测试周期一般为10个工作日。

　　多晶硅检测费用：工程师根据检测项目进行报价。

　　多晶硅成分分析流程

　　1、寄样(或上门取样)

　　2、初检样品

　　3、根据实验复杂程度进行报价。

　　4、双方确定，签订保密协议，开始实验

　　5、完成实验

　　6、邮寄检测报告，提供后期服务。

　　中析研究所检测有哪些优势?

　　1、中析研究所检测周期短、费用低、检测数据科学准确。

　　2、检测报告。(支持扫码查询真伪，报告)

　　3、支持上门取样，寄样检测。

　　4、初检小样

　　5、提供完善的售后服务。

　　多晶硅检测标准

　　GB/T 1552-1995 硅、锗单晶电阻率测定直排四探针法

　　GB/T 1553-1997 硅和锗体内少数载流子寿命测定

　　GB/T 1555-1997 半导体单晶晶向测定方法

　　GB/T 1557-1989 硅晶体中间隙氧含量测定

　　GB/T 1558-1997 硅中代位碳原子含量测定

　　GB/T 14144-1993 硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法

　　GB/T 12962-2005 硅单晶

　　GB/T 12963-1996 硅多晶

　　GB/T 4059-1983 硅多晶气氛区熔磷检验方法

　　GB/T 4060-1983 硅多晶真空区熔基硼检验方法

　　GB/T 4061-1983 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法

　　GB/T 13389-1992 掺硼碜磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度

　　多晶硅介绍

　　多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显;在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

　　以上部分就是关于多晶硅检测的内容，关于其他多晶硅检测问题，您也可以咨询在线工程师帮您解决!中析研究所是的检测机构，值得您的信赖!我们竭诚欢迎您前来洽谈合作!